站在光里，记在芯锂：存储

时间：2026-05-10 08:50:52 来源：作者：六一中路官网

AI算力爆发，全球存储龙头SK海力士、三星电子暴涨。

1、存储决定算力

AI训练、推理均需海量数据支撑，存储数据的读取运行效率直接决定AI模型跑的速度。如果存储速度滞后于算力速度，就会形成“内存墙”，导致芯片闲置、算力损耗。

数据搬运能耗极高，占AI芯片运行能耗的一半以上，存储综合性能对算力有决定性影响。

当前AI大模型参数规模突破万亿级，对存储容量、带宽的需求呈指数级增长，重要性不言而喻。

2、两大技术趋势

芯片堆叠技术、存算一体是存储未来两大关键技术方向。

芯片堆叠，以HBM为代表，把多颗DRAM芯片堆叠封装、并与GPU集成，拓宽数据通道、提升算力吞吐。未来带宽跃迁，从HBM3E向HBM4迭代升级，单颗芯片容量达24GB，带宽突破2.4Tbps，读写速度倍增，成为AI服务器核心技术支撑，更适配下一代AI大模型训练。

存算一体，就是让存储离计算更近。在存储单元内嵌计算能力，实现数据原地计算，大幅减少数据传输延迟和能耗损耗。存算一体芯片可将数据传输延迟降低50%以上，运算能耗减少30%-60%。

3、全球存储格局：寡头垄断、国产崛起

全球存储市场呈寡头垄断格局，赛道分为DRAM、NAND、HBM。

DRAM领域，三星、SK海力士、美光占据超90%市场份额。

NAND闪存领域，三星、SK海力士、铠侠等市占率超85%。

高带宽存储HBM是现在AI服务器标配。近两年全球存储全面涨价2-3倍，本质就是HBM需求爆发带来的供给紧缺，涨价外溢。HBM领域，SK海力士以60%全球份额主导市场，深度绑定英伟达。

国产存储加速追赶，长鑫存储DRAM份额近10%，长江存储NAND市占率超12%。目前国产HBM已进入小批量产阶段，多家企业布局存算一体芯片，借AI弯道超车，开始打破海外垄断。

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